NbTi相关论文
国际热核聚变反应堆ITER磁体采用的Nb3Sn及Nb Ti超导线为多丝扭绞结构。作为超导线设计和应用的重要参数,股线扭距及扭转方向必需......
随着集成电路产业的快速发展,回收芯片问题受到越来越多的关注,一旦回收芯片被误用于交通、关键基础设施以及军事装备等领域,可能......
随着5G、人工智能、云计算、物联网等新兴技术的快速发展,CMOS集成电路已步入纳米时代。随着器件特征尺寸地进一步减小,PMOSFET的N......
以高均匀性Nb47Ti合金锭和高纯无氧铜为原材料,制备了低铜比(1.3)的MRI(Magnetic Resonance Imaging)用NbTi/Cu超导线。研究了时效......
期刊
N型多米诺或门是高性能集成电路常用的动态单元,负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的PMOS管老化问题已成为降低多米诺或门电路可靠性的......
基于45 nm PTM模型,采用Hspice对基本逻辑门进行了仿真,并使用Matlab对仿真数据进行了三维延迟曲面拟合.在这些仿真基础上,建立了......
将钛片、铌片和钽片在铜包套中按…TiTaNbTaTi…次序周期排列,通过4次挤压制成NbTiTa/Cu超导复合体,然后对复合体交替进行拉拔减径......
研究了Nb／Ti扩散的特性和机理以及经过相同时间、不同温度时效热处理的Nb／Ti扩散偶样品中NbTi合金层的厚度、保温结束后淬火与炉冷的......
研究了Nb／Ti扩散的特性和机理以及经过相同时间、不同温度时效热处理的Nb／Ti扩散偶样品中NbTi合金层的厚度、保温结束后淬火与炉冷的......
从二维模拟pMOS器件得到沟道空穴浓度和栅氧化层电场，用于计算负栅压偏置温度不稳定性NBTI（Negative bias temperature instability）......
为缓解负偏置温度不稳定性（negativebiastemperatureinstability，NBTI）效应引起的电路老化，提高电路可靠性，提出一种在电路待机状态下应......
介绍了一种用于ITER的NbTi超导股线在不同温度下临界电流测试的方法和装置。该装置包括一孔径为70mm、最高磁场高达16T的背景磁体......
65nm及以下工艺,负偏置温度不稳定性（NBTI）是限制电路生命周期,导致电路老化甚至失效的最主要因素。本文提出了基于NBTI的时序分析框......
ITER用极向场（PF）线圈CICC导体短样是用西部超导材料科技有限公司提供的NbTi超导股线绕制完成，该股线在不同温度下的临界电流测试性能......
可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应——P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介......
对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模......
成功研制了6TNbTi传导冷却超导磁体系统,制冷机为二级GM 制冷机.磁体冷却到4K需用74小时左右.目前磁体系统已分别完成了115A(6T) ,......
超导技术是21世纪具有重大经济和战略意义的高新技术,在国民经济诸多领域具有广阔的应用前景,如在超导弱电应用中的超导量子干涉器......
随着CMOS器件尺寸的不断缩小,功耗问题和器件可靠性问题变得日益严重,逐渐成为制约集成电路发展的瓶颈。在65nm以下节点的CMOS器件......
为掌握第二代(2G)高温超导(HTS)带材在0~3. 5 T直流背景磁场下的临界电流(Ic)和n值变化趋势,构造和应用了一种新型分裂背场磁体系......
在1／2月刊《集成电路制程可靠性介绍（一）》中，我们介绍了HCI、NBTI和TDDB三种主要的失效模式，本文将继续简单介绍其他几种失效模式的物......
负偏压不稳定性（NBTI）会造成PMOS器件退化,导致电路性能下降。时钟树网络是同步时序电路的关键,随着电路工作时间推移,NBTI会造成时......
超导线材的力学特性是决定超导线使用性能的主要因素之一.超导电缆绞制过程中的张力、扭矩,和电缆载流时产生的电磁力都会使超导线......
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性......
当集成电路工艺进入到90nm节点以后,器件的可靠性问题将成为延缓集成电路加工水平沿着Moore定律继续延伸的主要困难之一。研究已经......
本文应用比例差分（PDO，Ptoportional Difference Operator）技术提出了一种新的表征微尺度MOS器件负偏置温度不稳定性（Negative Bias Te......
随着CMOS超大规模集成电路的发展，NBTI（negative bias temperatureinstability）效应作为CMOS技术中最主要的可靠性问题之一，由于器件等......
为了解决当前Gantry治疗装置面临的难题—磁体质量庞大,运行成本昂贵,提出了一种新型的斜螺线管型线圈结构。目前,已经完成了一台2......
半导体分立器件作为现代电子系统的核心元件，越来越广泛的被应用到民用以及军用产品中。如嫦娥工程中DC/DC电源变换器、通信接收机......
在当今社会,每天都会有大量信息的交换与传输。在这些信息的交换传输中,信息安全问题不容忽视,因此常使用AES,DES等加密方式去加密......
信息产业自20世纪中期以来得到了飞速发展,已经成为了先进国家的第一大产业。而半导体集成电路技术是信息产业的基础,目前半导体集......
用Nb47Ti片和Ta片制备NbTiTa/Cu超导线材,在三次热挤压和热处理后NbTiTa超导线材的芯丝中Ta成豆状和条带状,Ta和Nb47Ti间的互扩散......
为掌握高温超导带材在高直流背景磁场下的临界电流(Ic)和n值变化趋势,构造和应用了一种新型分裂背场磁体系统,通过测试分析获得了......
随着当前集成电路特征尺寸不断减小,在带来频率功耗等性能的提升的同时,一些严重的电路可靠性问题也逐渐显现。其中负偏置温度不稳......
MOS器件的可靠性问题在影响器件性能的同时也会影响电路的性能,从而制约集成电路的进一步发展。深亚微米尺寸CMOS器件的可靠性问题......
随着摩尔定律的发展,数字集成电路的工艺节点已经达到超深亚微米,晶体管的长期可靠性问题由之前的经时击穿和电迁移逐渐转变为负偏......
随着半导体工艺技术的发展,晶体管尺寸的快速缩减导致老化退化加剧,尤其是NBTI引起的老化现象。它已成为导致老化现象的首要因素,......
众所周知随着CMOS关键尺寸的变小,传统的二氧化硅栅氧介质已经不能满足关键尺寸为0.35um以及以下的要求。所以必须改变传统的栅极......
本文主要针对超深亚微米PMOSFET中的NBTI效应进行了深入研究,基于Virtuoso软件平台,完成了NBTI测试芯片的版图设计,并在和舰科技参......
